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          新能源時代碳化硅材料的應用與碳硫儀檢測

          發布時間:2023-09-12 08:59:53         點擊:999

          如今,對于芯片愈來愈重視,半導體材料也是在不斷更新,新能源時代,對于高性能半導體材料更為迫切,碳化硅,作為三代半導體材料,對于材料的碳硫檢測,選用紅外碳硫儀作為檢測方法。

          三代半導體材料以碳化硅、氮化鎵為代表,與前兩代半導體材料相比,其優勢是較寬的禁帶寬度,保證了其可擊穿更高的電場強度,適合制備耐高壓、高頻的功率器件,是電動汽車、5G 基站、衛星等新興領域的理想材料。

          SiC具有寬的禁帶寬度、高擊穿電場、高熱傳導率和高電子飽和速率的物理性能,使其有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等優點,可降低下游產品能耗、減少終端體積。碳化硅的禁帶寬度大約為3.2eV,硅的寬帶寬度為1.12eV,大約為碳化硅禁帶寬度的1/3,這也就說明碳化硅的耐高壓性能顯著好于硅材料。

          碳化硅在5G基站中的應用

          碳化硅在5G基站中的應用

          此外,碳化硅的熱導率大幅高于其他材料,從而使得碳化硅器件可在較高的溫度下運行,其工作溫度高達600℃,而硅器件的極限溫度僅為300℃;另一方面,高熱導率有助于器件快速降溫,從而下游企業可簡化器件終端的冷卻系統,使得器件輕量化。

          同時,碳化硅具有較高的能量轉換效率,且不會隨著頻率的提高而降低,碳化硅器件的工作頻率可以達到硅基器件的10倍,相同規格的碳化硅基MOSFET總能量損耗僅為硅基IGBT 的 30%。碳化硅材料將在高溫、高頻、高頻領域逐步替代硅,在5G通信、航空航天、新能源汽車、智能電網領域發揮重要作用。

          紅外碳硫儀作為檢測材料中碳硫元素的高效方法,被廣泛應用,對于碳化硅材料中的硫元素可做高精度分析。

           

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